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論文

RBS/channeling, XRD and optical characterization of deep ion implantation into single crystalline SiO$$_{2}$$

Dai, Z.*; 山本 春也; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 宮下 敦巳

1998 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings, Vol.2, p.1159 - 1162, 1998/06

https://doi.org/10.1109/IIT.1998.813889

3MeVのAuをイオン注入したSiO$$_{2}$$(0001)について、イオンチャネリング法、X線回折法及び光吸収測定法について総合的に調べた。その結果、注入したAuは長距離拡散しないで基板の結晶方位と整合した微粒子を形成することを明らかにした。また、1000$$^{circ}$$Cで熱処理すると、Auのプラズモンによる吸収が顕著になり、その径は光吸収測定の結果から、4.2nmと算出された。

論文

Preparation of ThO$$_{2}$$ sols suitable for gelation into microspheres in CCl$$_{4}$$-ammonia media

山岸 滋; 高橋 良寿

Journal of Nuclear Science and Technology, 22(11), p.915 - 921, 1985/00

https://doi.org/10.3327/jnst.22.915
 被引用回数：9 パーセンタイル：74.19(Nuclear Science & Technology)

四塩化炭素-アンモニア系で首尾よくゲル化できるThO$$_{2}$$ゾルの製造条件を検討した。その系は、真球度の秀れたゲル球を与えるが、高品質の原料ゾルを必要とするものである。ヘキソン-アンモニア系でのゲル化に適したThO$$_{2}$$ゾル製造のために以前開発した前中和後pH制御下で中和を進める方法に、PH設定を2段階に行う方式を取入れた。その結果、コロイド粒子径を低下させることなく、ゾル中のThのコロイド等を高めることができた。これにより、ひびがなく大きな真球性ThO$$_{2}$$粒子を得ることができた。

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